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[行業(yè)新聞] IGBT的最大威脅碳化硅
功率器件最終往往是拼工藝，IGBT散熱器的最大威脅碳化硅器件一直統(tǒng)治著高壓功率應(yīng)用市場(chǎng)。近些年出現(xiàn)了一種新工藝碳化硅(SiC)，碳化硅的絕緣破壞電場(chǎng)強(qiáng)度是傳統(tǒng)硅器件的9倍多，因此使用碳化硅工藝生產(chǎn)的功率器件導(dǎo)通電阻更低，芯片尺寸更小。此外相發(fā)布時(shí)間：2018-07-06 點(diǎn)擊次數(shù)：215
